2N5686G, BJT,NPN,50A,80V,TO-204-2

PartNumber: 2N5686G
Ном. номер: 8121144753
Производитель: ON Semiconductor
2N5686G, BJT,NPN,50A,80V,TO-204-2
Доступно на заказ более 4 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
1 210 × = 1 210
от 5 шт. — 980 руб.
от 25 шт. — 843.60 руб.

Описание

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Small Signal Transistors
General Purpose Transistors
Dual NPN and PNP Transistors
Power Transistors
High Voltage Transistors
RF Bipolar Transistors
Low Noise, Dual Matched and Complex Bipolar Transistors

Bipolar Transistors

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
38.86 x 26.67 x 8.51mm
высота
8.51mm
длина
38.86mm
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum DC Collector Current
50 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
максимальная рабочая температура
+200 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
300 mW
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-204
Pin Count
2
ширина
26.67mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
5
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

High-Current Complementary Silicon Power Transistors Datasheet 2N5686G