2N6052G, Darlington Transistor, PNP, 2 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 100 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 950 руб.
от 10 шт. —
1 770 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 4 200 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Darlington Transistors\?????????? ????????? ??????? ???????????? - BJT
• Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
• High DC current gain (hFE = 3500 @ IC = 5A DC)
Технические параметры
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | PNP |
Вес, г | 12.02 |
Техническая документация
Datasheet 2N6052G
pdf, 132 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов