2N6052G, Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 150 Вт, -12 А, 100 hFE

PartNumber: 2N6052G
Ном. номер: 8026788913
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 2N6052G, Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 150 Вт, -12 А, 100 hFE
Фото 2/2 2N6052G, Биполярный транзистор, PNP, -100 В, 150 Вт, -12 А, 100 hFE
Доступно на заказ 26 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
440 руб. × = 440 руб.
от 10 шт. — 336 руб.

Описание

The 2N6052G is a 12A PNP complementary silicon power Darlington Transistor designed for general-purpose amplifier and low frequency switching applications.

• Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
• High DC current gain (hFE = 3500 @ IC = 5A DC)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
200 C
Количество Выводов
2вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-100В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-3
Рассеиваемая Мощность
150Вт
Полярность Транзистора
PNP
DC Ток Коллектора
-12А
DC Усиление Тока hFE
100hFE

Дополнительная информация

Datasheet 2N6052G