2N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [TO-252]

2N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [TO-252]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2423 шт. со склада г.Москва
16 руб.
от 50 шт.14 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 16 руб.
Номенклатурный номер: 9001106023
Артикул: 2N60L
PartNumber: UMW 2N60L

Описание

TO-252 N-Channel MOSFETs ROHSVDS = 600V аналог:UMW2N60L

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4.2 Ом/1А, 10В
Крутизна характеристики, S 1.5
Корпус dpak
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet UMW 2N60
pdf, 2632 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.