Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › 2N6487G, Bipolar Transistors - BJT 15A 60V ...

2N6487G, Bipolar Transistors - BJT 15A 60V Bipolar Power NPN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

310 руб.

от 10 шт. — 240 руб.

от 100 шт. — 172 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 310 руб.

Номенклатурный номер: 8006225058

Артикул: 2N6487G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 15A 60V Bipolar Power NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	75 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.75 mm
Длина	10.53 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	15 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	70 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	3.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	15 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	5 MHz
Размер фабричной упаковки	50
Серия	2N6487
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.83 mm
Collector Emitter Voltage Max	60В
Continuous Collector Current	15А
DC Current Gain hFE Min	5hFE
DC Усиление Тока hFE	5hFE
Power Dissipation	1.8Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220
Частота Перехода ft	5МГц
Вес, г	6