2N6517TA, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 999 мА, 625 мВт, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
50 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 3 000 руб.
Посмотреть аналоги3
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Collector- Base Voltage VCBO: | 350 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 350 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 500 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
DC Current Gain hFE Max: | 200 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92-3 Kinked Lead |
Packaging: | Ammo Pack |
Part # Aliases: | 2N6517TA_NL |
Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | 2N6517 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.59 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 239 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов