2N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [TO-252]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1138 шт. со склада г.Москва, срок 4 дня
17 руб.
от 50 шт. —
15 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 17 руб.
Номенклатурный номер: 9001106025
Артикул: 2N65L
PartNumber: UMW 2N65L
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.5 Ом/1А, 10В | |
Крутизна характеристики, S | 1.5 | |
Корпус | dpak | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet UMW 2N65
pdf, 2070 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.