Корпус	sot-23
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	1.19Ом
Power Dissipation	420мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	380мА
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.3В
Рассеиваемая Мощность	420мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1.19Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	380 mA
Maximum Drain Source Resistance	2.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.3V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	420 mW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.7 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Case	SOT23
Drain current	0.38A
Drain-source voltage	60V
Gate charge	0.7nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	ONSEMI
Mounting	SMD
On-state resistance	2.5Ω
Polarisation	unipolar
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	0.05

2N7002KT1G, Транзистор полевой N-канальный 60В 320мА, 0.3Вт