Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor 104 из более 1000

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже Срок поставки
Производители
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Тверь
Тула
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 ом при 0.5а, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.4
Корпус: to92
Добавить к сравнению
Со склада
6 руб. ×
от 100 шт. — 5 руб.
от 1000 шт. — 4 руб.
2N7002L, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Добавить к сравнению
Со склада
4 руб. ×
от 100 шт. — 3 руб.
от 1000 шт. — 2.50 руб.
BS107ARL1G, Транзистор, N-канал [TO-92]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.4 ом при 0.25a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Корпус: to92
Добавить к сравнению
Со склада
130 руб. ×
от 50 шт. — 115 руб.
от 500 шт. — 113 руб.
BS108ZL1G, Транзистор, N-канал [TO-92]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8 ом при 0.1a, 2.8в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 0.33
Корпус: to92
Добавить к сравнению
Со склада
140 руб. ×
от 3 шт. — 129 руб.
BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 ом при 0.22a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36
Крутизна характеристики, S: 0.1
Корпус: sot23
Добавить к сравнению
Со склада
4 руб. ×
от 100 шт. — 3 руб.
от 1000 шт. — 2.40 руб.
FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 23
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 ом при 11.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 235
Крутизна характеристики, S: 29
Корпус: TO-3PN
Добавить к сравнению
Со склада
190 руб. ×
от 15 шт. — 167 руб.
от 150 шт. — 162 руб.
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
1 день
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 ом при 29.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: TO-3PN
Добавить к сравнению
1 день
150 руб. ×
от 15 шт. — 135 руб.
от 150 шт. — 133 руб.
FDP18N50, Транзистор N-CH 500V 18A [TO-220]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 ом при 9a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 235
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: to220ab
Добавить к сравнению
Со склада
94 руб. ×
от 15 шт. — 88 руб.
от 150 шт. — 85 руб.
FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 ом при 7.8a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: dpak
Добавить к сравнению
Со склада
28 руб. ×
от 15 шт. — 23 руб.
от 150 шт. — 22 руб.
FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.12 ом при-8.5a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 9.3
Корпус: to220
Добавить к сравнению
Со склада
46 руб. ×
от 15 шт. — 40 руб.
от 150 шт. — 39 руб.
FQPF4N90C, Транзистор N-CH 900V 4A [TO-220F]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 ом при 2a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 47
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: to220f
Добавить к сравнению
Со склада
55 руб. ×
от 15 шт. — 45 руб.
от 150 шт. — 43 руб.
HUF75344G3, Транзистор, MOSFET N-CH Si 55В 75А [TO-247]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 ом при 75a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 285
Корпус: to247
Добавить к сравнению
Со склада
110 руб. ×
от 15 шт. — 99 руб.
от 150 шт. — 97 руб.
HUF75545P3, Транзистор, N-канал 75А 80В [TO-220]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 ом при 75a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270
Корпус: to220ab
Добавить к сравнению
Со склада
98 руб. ×
от 15 шт. — 92 руб.
от 150 шт. — 91 руб.
IRF530A, Транзистор, N-канал 100В 14А [TO-220AB]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 ом при 7a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Корпус: to220ab
Добавить к сравнению
Со склада
42 руб. ×
от 15 шт. — 36 руб.
от 150 шт. — 35 руб.
NTD20N06LT4G, MOSFET N-канал 60В 20А [D-PAK]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.048 ом при 10a, 5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60
Корпус: dpak
Добавить к сравнению
Со склада
44 руб. ×
от 15 шт. — 38 руб.
от 150 шт. — 36 руб.
NTMFS4935NT1G, Транзистор N-CH 30V 93A [SO-8FL]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 93
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 ом при 30a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48
Крутизна характеристики, S: 32
Корпус: so8fl
Добавить к сравнению
Со склада
24 руб. ×
от 10 шт. — 20 руб.
от 100 шт. — 19 руб.
2N7002ET1G
3-4 недели
Пр-во: ON Semiconductor
Добавить к сравнению
3-4 недели
15.20 руб. ×
от 25 шт. — 13.30 руб.
2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 ом при 0.5а, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 80
Корпус: sot123
Добавить к сравнению
Со склада
3 руб. ×
от 100 шт. — 2.60 руб.
от 1000 шт. — 1.80 руб.
2SK3557-7-TB-E, РЧ полевой транзистор, N Канал, 15 В, 50 мА, 200 мВт [SOT-23]
3-4 недели
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Добавить к сравнению
3-4 недели
49 руб. ×
от 10 шт. — 38.20 руб.
от 25 шт. — 34.40 руб.
2SK3747-1E, МОП-транзистор, N Канал, 1500В, 2А, 13Ом [TO-3PF-3L]
3-4 недели
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 13 ом при 1a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 59
Крутизна характеристики, S: 1.4
Корпус: to3pf
Добавить к сравнению
3-4 недели
351 руб. ×
от 30 шт. — 309 руб.
от 120 шт. — 276 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая