Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics

Транзисторы полевые ST Microelectronics

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже

Мин. цена	руб.
Макс. цена	руб.

IRF630, Транзистор, N-канал 200В 9А [TO-220AB] 314 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74 Крутизна характеристики, S: 3.8 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	314 шт.	160 руб. × от 15 шт. — 144 руб. от 150 шт. — 119 руб.
STB140NF75T4, Транзистор MOSFET N-канал 75В 120А [D2-PAK] 871 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.075 Ом/70А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	871 шт.	290 руб. × от 15 шт. — 235 руб. от 150 шт. — 229 руб.
STB28NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.135 Ом, 21 А [D2-PAK] 119 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.158 Ом/10.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	119 шт.	440 руб. × от 15 шт. — 392 руб. от 150 шт. — 387 руб.
STB55NF06T4, Транзистор N-канал 60В 50А [D2-PAK] 1404 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 18 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1404 шт.	130 руб. × от 15 шт. — 101 руб. от 150 шт. — 93.10 руб.
STB6NK60ZT4, Транзистор MOSFET N-канал 600В 6А [D2-PAK] 492 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	492 шт.	140 руб. × от 15 шт. — 102 руб. от 150 шт. — 101 руб.
STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK] 365 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Крутизна характеристики, S: 5.3 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	365 шт.	250 руб. × от 15 шт. — 234 руб. от 150 шт. — 223 руб.
STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK] 991 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	991 шт.	150 руб. × от 50 шт. — 127 руб. от 500 шт. — 119 руб.
STD12NF06LT4, Транзистор STripFET N-CH 60V 12A, [D-PAK] 9 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Крутизна характеристики, S: 7 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	9 шт.	360 руб. × от 15 шт. — 350 руб. от 150 шт. — 340 руб.
STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В, 50 мОм, 16 В, 1.5 В, [TO-252] 1992 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1992 шт.	65 руб. × от 15 шт. — 64 руб. от 150 шт. — 57.60 руб.
STD17NF25, Транзистор MOSFET N-CH 250V 17A, [D-PAK] 61 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	61 шт.	200 руб. × от 15 шт. — 167 руб. от 150 шт. — 159 руб.
STD18N55M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 550 В, 0.18 Ом, 13 А [D-PAK] 43 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 550 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.192 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	43 шт.	460 руб. × от 15 шт. — 433 руб. от 150 шт. — 426 руб.
STD2NK90ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 900В 2.1А [D-PAK] 950 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.5 Ом/1.05А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Крутизна характеристики, S: 2.3 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	950 шт.	140 руб. × от 15 шт. — 125 руб. от 150 шт. — 120 руб.
STD5N52K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4 А [D-PAK] 47 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 525 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	47 шт.	90 руб. × от 15 шт. — 77 руб. от 150 шт. — 69.10 руб.
STD5NK50ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 500В 4.4А [D-PAK] 317 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	317 шт.	150 руб. × от 15 шт. — 120 руб. от 150 шт. — 114 руб.
STD60NF06T4, Транзистор MOSFET N-канал 60В 60А [TO-252] 80 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	80 шт.	290 руб. × от 15 шт. — 281 руб. от 150 шт. — 266 руб.
STF10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-220FP] 20 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: to-220fp	быстрый просмотр	20 шт.	200 руб. × от 15 шт. — 165 руб. от 150 шт. — 156 руб.
STF13NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600V 11A [TO-220FP] 491 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: to-220fp	быстрый просмотр	491 шт.	250 руб. × от 15 шт. — 209 руб. от 150 шт. — 199 руб.
STF3NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 800В 2.5А [TO-220FP] 840 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Крутизна характеристики, S: 2.1 Корпус: to-220fp	быстрый просмотр	840 шт.	140 руб. × от 15 шт. — 113 руб. от 150 шт. — 101 руб.
STF6N65K3, Транзистор MOSFET N-канал 650В 5.4А [TO-220FP] 110 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Корпус: to-220fp	быстрый просмотр	110 шт.	180 руб. × от 15 шт. — 132 руб. от 150 шт. — 125 руб.
STF6N95K5, Транзистор MOSFET N-канал 950В 9А [TO-220FP] 272 шт. Пр-во: ST Microelectronics Структура: n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 950 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: to-220fp	быстрый просмотр	272 шт.	360 руб. × от 15 шт. — 306 руб. от 150 шт. — 298 руб.