STP12NM50
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32 шт. со склада г.Москва, срок 4-7 дней
640 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 13 шт. —
531 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 3 840 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7,5А, 160Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Корпус | to220ab | |
| кол-во в упаковке | 50 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 350 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 160 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | MDmesh | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| Width | 4.6mm | |
| Case | TO220-3 | |
| Drain current | 7.5A | |
| Drain-source voltage | 500V | |
| Gate-source voltage | ±30V | |
| Kind of channel | enhanced | |
| Kind of package | tube | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Mounting | THT | |
| On-state resistance | 0.35Ω | |
| Polarisation | unipolar | |
| Power dissipation | 160W | |
| Type of transistor | N-MOSFET | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Forward Transconductance - Min: | 5.5 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package/Case: | TO-220-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 160 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 39 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 350 mOhms | |
| Rise Time: | 10 ns | |
| Series: | STP12NM50 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | MDmesh | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 160 W | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms | |
| RoHS | Подробности | |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 30 V | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Время нарастания | 10 ns | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.5 S | |
| Максимальная рабочая температура | +150 C | |
| Минимальная рабочая температура | -65 C | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| Размер фабричной упаковки | 50 | |
| Серия | STP12NM50 | |
| Торговая марка | STMicroelectronics | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
...12NM50
pdf, 535 КБ
Datasheet
pdf, 618 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 115 КБ
Datasheet
pdf, 606 КБ
STB12NM50T4, STP12NM50, STP12NM50FP
pdf, 621 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
