Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics
более 1000
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
488 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
|
![]() |
488 шт. |
160 руб.
×
от 15 шт. — 144 руб.
от 150 шт. — 119 руб.
|
|
331 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.075 Ом/70А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
331 шт. |
290 руб.
×
от 15 шт. — 235 руб.
от 150 шт. — 229 руб.
|
|
4 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.158 Ом/10.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
4 шт. |
600 руб.
×
от 15 шт. — 590 руб.
от 150 шт. — 585 руб.
|
|
1076 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
1076 шт. |
130 руб.
×
от 15 шт. — 101 руб.
от 150 шт. — 93.10 руб.
|
|
477 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
477 шт. |
110 руб.
×
от 15 шт. — 98 руб.
от 150 шт. — 95 руб.
|
|
122 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
122 шт. |
290 руб.
×
от 15 шт. — 270 руб.
от 150 шт. — 261 руб.
|
|
798 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
798 шт. |
150 руб.
×
от 50 шт. — 127 руб.
от 500 шт. — 119 руб.
|
|
1030 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
1030 шт. |
65 руб.
×
от 15 шт. — 64 руб.
от 150 шт. — 57.60 руб.
|
|
306 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
306 шт. |
290 руб.
×
от 15 шт. — 270 руб.
от 150 шт. — 252 руб.
|
|
1 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 550
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.192 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
1 шт. |
460 руб.
×
от 15 шт. — 450 руб.
от 150 шт. — 440 руб.
|
|
939 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.5 Ом/1.05А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 2.3
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
939 шт. |
170 руб.
×
от 15 шт. — 153 руб.
от 150 шт. — 145 руб.
|
|
![]() |
138 шт. |
120 руб.
×
от 15 шт. — 108 руб.
от 150 шт. — 102 руб.
|
||
180 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 525
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
180 шт. |
90 руб.
×
от 15 шт. — 77 руб.
от 150 шт. — 69.10 руб.
|
|
204 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
204 шт. |
84 руб.
×
от 15 шт. — 76 руб.
от 150 шт. — 71.50 руб.
|
|
590 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Корпус: to-220fp
|
![]() |
590 шт. |
200 руб.
×
от 15 шт. — 165 руб.
от 150 шт. — 156 руб.
|
|
383 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Корпус: to-220fp
|
![]() |
383 шт. |
250 руб.
×
от 15 шт. — 209 руб.
от 150 шт. — 199 руб.
|
|
550 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 2.1
Корпус: to-220fp
|
![]() |
550 шт. |
140 руб.
×
от 15 шт. — 113 руб.
от 150 шт. — 101 руб.
|
|
145 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/2.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Корпус: to-220fp
|
![]() |
145 шт. |
180 руб.
×
от 15 шт. — 132 руб.
от 150 шт. — 125 руб.
|
|
107 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 950
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Корпус: to-220fp
|
![]() |
107 шт. |
360 руб.
×
от 15 шт. — 306 руб.
от 150 шт. — 298 руб.
|
|
271 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Корпус: to-220fp
|
![]() |
271 шт. |
210 руб.
×
от 15 шт. — 201 руб.
от 150 шт. — 195 руб.
|