Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) • Спецпредложения

12 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
FCA22N60N, Транзистор, SupreMOS, N-канал, 600В, 22А, 0.165Ом [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 205
Крутизна характеристики, S: 22
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
1 070 руб. ×
от 15 шт. — 1 020 руб.
FCP16N60N, Транзистор, SupreMOST, N-канал, 600В, 16А, 0.170Ом [TO220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.199 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 134
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 040 руб. ×
от 15 шт. — 982 руб.
FDP032N08, Транзистор, PowerTrench, N-канал, 75В, 235А, 3.2мОм [TO220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 375
Крутизна характеристики, S: 180
Корпус: to-220
быстрый просмотр
720 руб. ×
от 50 шт. — 661 руб.
FDP047N08, Транзистор N-MOSFET 75В 164А TO220-3
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 164
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 268
Крутизна характеристики, S: 150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
640 руб. ×
от 15 шт. — 604 руб.
IRFP4710PBF, Транзистор MOSFET N-канал 100В 72А [TO-247АC]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 72
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/45А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190
Крутизна характеристики, S: 35
Корпус: TO-247AC
быстрый просмотр
450 руб. ×
от 15 шт. — 402 руб.
2SK727, Транзистор N-канал 900В 5А 125Вт [SC-65]
4 шт.
Бренд: Fuji Electric
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 6
Корпус: sc-65
быстрый просмотр
4 шт.
160 руб. ×
FDS6679AZ, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 13А [SOIC-8-0.154"]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0093 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 55
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 25 шт. — 106 руб.
IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0061 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33
Крутизна характеристики, S: 56
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
63 руб. ×
от 15 шт. — 53 руб.
IRF7240PBF, Pкан -40В -10.5А SO8
Бренд: IR
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/10.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
44 руб. ×
IRF7306PBF, Транзисто, 2P-канала 30В 3.6А 0.10Ом [SO-8]
Бренд: IR
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
45 руб. ×
от 25 шт. — 41 руб.
IRF7389PBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 7.3А/-5.3А [SO-8]
Бренд: IR
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3/5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 14/7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
48 руб. ×
от 25 шт. — 44 руб.
IRF8736PBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0048 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
44 руб. ×
от 25 шт. — 39 руб.