Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STN1NK60Z, Транзистор, Zener-Protected ...

STN1NK60Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 0.3А [SOT-223]

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2693 шт. со склада г.Москва

60 руб.

от 50 шт. — 49 руб.

от 500 шт. — 39.70 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 60 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Посмотреть альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 9000098784

Артикул: STN1NK60Z

Страна происхождения: КИТАЙ

Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.75V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max:300mA; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:3.75V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Технические параметры

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	0.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	15 Ом/0.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	3.3
Крутизна характеристики, S	0.5
Корпус	SOT-223
Вес, г	0.39