STFW4N150, Mosfet PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А, TO-3PF

Артикул: STFW4N150
Ном. номер: 9000187587
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STFW4N150, Mosfet PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А, TO-3PF
Фото 2/2 STFW4N150, Mosfet PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А, TO-3PF
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
350 руб. × = 350 руб.
от 5 шт. — 300 руб.
от 50 шт. — 287 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The STFW4N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.

• 100% Avalanche tested
• Intrinsic capacitances and Qg minimized
• High speed switching
• High peak power
• High ruggedness capability

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
5000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…5

Техническая документация

...4N150
pdf, 753 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STFW4N150
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов