Добавить к сравнению Сравнить ()

STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]

Ном. номер: 9000149891
Артикул: STB9NK60ZT4
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]
Фото 2/3 STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]Фото 3/3 STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]
100 руб.
1678 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 97 руб.
от 150 шт. — 94 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
60 руб. 3-4 недели, 2000 шт. 1000 шт. 1000 шт.
от 2000 шт. — 50.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The STB9NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.

• Improved ESD capability
• 100% Avalanche tested
• Very low intrinsic capacitance
• Extremely high dV/dt capability

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…4.5
Вес, г
2.5

Техническая документация

STB9NK60
pdf, 503 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STB9NK60ZT4

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.