STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]

Артикул: STB9NK60ZT4
Ном. номер: 9000149891
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]
Фото 2/2 STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]
Есть в наличии 104 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
48 руб. × = 48 руб.
от 50 шт. — 43 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The STB9NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.

• Improved ESD capability
• 100% Avalanche tested
• Very low intrinsic capacitance
• Extremely high dV/dt capability

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
850
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…4.5

Техническая документация

STB9NK60
pdf, 503 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STB9NK60ZT4
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов