Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected ...

STB9NK60ZT4, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал 600В 7А [D2-PAK]

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

274 шт. со склада г.Москва

250 руб.

от 15 шт. — 234 руб.

от 150 шт. — 223 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Номенклатурный номер: 9000149891

Артикул: STB9NK60ZT4

Страна происхождения: КИТАЙ

Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

MOSFET, N CH, 600V, 7A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.85ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.75V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max:7A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Termination Type:Surface Mount Device; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Технические параметры

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.95 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	125
Крутизна характеристики, S	5.3
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе	3…4.5
Вес, г	1.45