STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]

Фото 2/6 STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]Фото 3/6 STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]Фото 4/6 STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]Фото 5/6 STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]Фото 6/6 STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]
Фото 1/6 STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]
Ном. номер: 9000187554
Артикул: STD10NM60N
Производитель: ST Microelectronics
80 руб.
709 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 72 руб.
от 150 шт. — 70 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 80 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Описание

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.6 ом при 4a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 70
Корпус dpak
Вес, г 0.4

Техническая документация

...10NM60N
pdf, 1257 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STD10NM60N
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах