STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]

Артикул: STD10NM60N
Ном. номер: 9000187554
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]
Фото 2/2 STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]
Есть в наличии 9 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3 рабочих дня.
61 руб. × = 61 руб.
от 25 шт. — 53 руб.
от 250 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах Есть аналоги

Описание

The STD10NM60N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest ON-resistance. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
530
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус

Техническая документация

...10NM60N
pdf, 1257 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STD10NM60N
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов