STD4NK80ZT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6842 шт. со склада г.Москва, срок 4-7 дней
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
от 69 шт. —
98 руб.
от 288 шт. —
86.53 руб.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 3 600 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 1,89А, 80Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Корпус | to252 | |
кол-во в упаковке | 2500 | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Fall Time: | 32 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 2.9 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 3 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) | |
Pd - Power Dissipation: | 80 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 22.5 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 Ohms | |
Rise Time: | 12 ns | |
Series: | STD4NK80Z | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel MOSFET | |
Type: | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 2500 | |
Fall Time | 32 ns | |
Forward Transconductance - Min | 2.9 S | |
Height | 2.4 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 3 A | |
Length | 6.6 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-252-3 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 80 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 22.5 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5 Ohms | |
Rise Time | 12 ns | |
RoHS | Details | |
Series | STD4NK80Z | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 13 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
Width | 6.2 mm | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.