Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А ...

FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

610 руб.

от 15 шт. — 597 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.

Номенклатурный номер: 9000164242

Артикул: FDA59N30

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

UniFETTM MOSFET is a high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength.

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	59
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.056 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	500
Крутизна характеристики, S	52
Корпус	to-3pn
Вес, г	6.5