FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]

Фото 1/3 FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
610 руб.
от 15 шт.597 руб.
от 150 шт.592 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000164242
Артикул: FDA59N30
Страна происхождения: КОРЕЯ, РЕСПУБЛИКА
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

МОП-транзистор 500V NCH МОП-транзистор

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 59
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.056 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 500
Крутизна характеристики, S 52
Корпус TO-3PN
Вес, г 6.5

Техническая документация

Datasheet FDA59N30
pdf, 1914 КБ
Datasheet FDA59N30
pdf, 1918 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов