FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
![Фото 1/3 FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
610 руб.
от 15 шт. —
597 руб.
от 150 шт. —
592 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Номенклатурный номер: 9000164242
Артикул: FDA59N30
Страна происхождения: КОРЕЯ, РЕСПУБЛИКА
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***
Описание
МОП-транзистор 500V NCH МОП-транзистор
Технические параметры
| Структура | n-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 59 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.056 Ом/29.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 500 | |
| Крутизна характеристики, S | 52 | |
| Корпус | TO-3PN | |
| Вес, г | 6.5 | |
Техническая документация
Datasheet FDA59N30
pdf, 1914 КБ
Datasheet FDA59N30
pdf, 1918 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
