BUZ11-NR4941, Транзистор, N-канал 50В 30А 0.04Ом [TO-220AB]
![Фото 1/5 BUZ11-NR4941, Транзистор, N-канал 50В 30А 0.04Ом [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210363.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
от 15 шт. —
131 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом/15А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 | |
| Крутизна характеристики, S | 8 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
BUZ11 datasheet
pdf, 85 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BUZ11-NR4941
pdf, 828 КБ
BUZ11-NR4941
pdf, 270 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Видео
С этим товаром покупают
