Мой регион: Россия

BUZ11_NR4941, Транзистор, N-канал 50В 30А 0.04Ом [TO-220AB]

Ном. номер: 61239
Артикул: BUZ11_NR4941
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/4 BUZ11_NR4941, Транзистор, N-канал 50В 30А 0.04Ом [TO-220AB]
Фото 2/4 BUZ11_NR4941, Транзистор, N-канал 50В 30А 0.04Ом [TO-220AB]Фото 3/4 BUZ11_NR4941, Транзистор, N-канал 50В 30А 0.04Ом [TO-220AB]Фото 4/4 BUZ11_NR4941, Транзистор, N-канал 50В 30А 0.04Ом [TO-220AB]
Ожидается поступление на склад г.Москва: 9 апреля 2020 г. — 650 шт.
46 руб.
235 шт. со склада г.Екатеринбург
от 15 шт. — 38 руб.
от 150 шт. — 36 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 46 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4
Вес, г
2.5

Техническая документация

BUZ11 datasheet
pdf, 85 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BUZ11_NR4941

Видео

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.