2SAR293P5T100
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
82 руб.
от 10 шт. —
63 руб.
от 100 шт. —
44.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
TRANS, PNP, -30V, -1A, 150DEG C, 0.5W; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-30V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:270hFE; Transi
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | -30 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -30 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -150 mV |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | -1 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 270 at-100 mA, -2 V |
| DC Current Gain hFE Max | 680 at-100 mA, -2 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 320 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | -1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-62-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2SxR |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SAR293P5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at - 100 mA, - 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 at - 100 mA, - 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SxR |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Техническая документация
Datasheet 2SAR293P5T100
pdf, 1766 КБ
Документация
pdf, 1773 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
