Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › 2SAR502U3HZGT106, Биполярный транзистор, PNP ...

2SAR502U3HZGT106, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 500 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2795 шт., срок 8-10 недель

85 руб.

Мин. кол-во для заказа 35 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 100 шт. — 36 руб.

Добавить в корзину 35 шт. на сумму 2 975 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004134990

Артикул: 2SAR502U3HZGT106

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	30В
Continuous Collector Current	500мА
DC Current Gain hFE Min	200hFE
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Power Dissipation	200мВт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	PNP
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-323
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	520МГц
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	500
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	150 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	500 mA
Подкатегория	Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	520 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-323-3
Вес, г	0.1