2SAR553PHZGT100, TRANSISTOR, BJT, PNP, 50V, 2A, SOT-89
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
835 шт., срок 8-10 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
от 100 шт. —
83 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 2 600 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
The ROHM power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. Low saturation voltage VCE(sat)-400mV (Max.
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| Continuous Collector Current | 2А |
| DC Current Gain hFE Min | 180hFE |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Частота Перехода ft | 320МГц |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Minimum DC Current Gain | 180 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.73 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
