2SB1197KT146Q, Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.8 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
486 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
14 руб.
Мин. кол-во для заказа 34 шт.
от 96 шт. —
12 руб.
от 192 шт. —
11 руб.
от 384 шт. —
9.70 руб.
Добавить в корзину 34 шт.
на сумму 476 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 32 В, 0.8 А
Технические параметры
Корпус | SMT3 | |
Brand: | ROHM Semiconductor | |
Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 32 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current: | -800 mA | |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 120 | |
DC Current Gain hFE Max: | 390 | |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz | |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor | |
Maximum DC Collector Current: | 800 mA | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Package / Case: | SC-59-3 | |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW | |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT | |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors | |
Series: | 2SB1197K | |
Subcategory: | Transistors | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | PNP | |
Maximum Collector Emitter Voltage | -32 V | |
Maximum DC Collector Current | -800 mA | |
Minimum DC Current Gain | 120 | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-346 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Type | PNP | |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.