2SCR293P5T100, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
95 шт., срок 7 недель
42 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
26 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V Vceo 1A Ic MPT3
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SCR293P5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 100 mA, 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 680 at 100 mA, 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 120 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SxR |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Base Product Number | 2SCR293 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 320MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-243AA |
| Power - Max | 500mW |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | MPT3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 30 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 120 mV |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 1 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 270 at 100 mA, 2 V |
| DC Current Gain HFE Max | 680 at 100 mA, 2 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 320 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | 2SCR293P5 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | 2SxR |
| Subcategory | Transistors |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
