2SCR514PHZGT100, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 700 мА, 2 Вт, SOT-89, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
888 шт., срок 8-10 недель
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 19 шт.
от 100 шт. —
86 руб.
Добавить в корзину 19 шт.
на сумму 2 660 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
The ROHM power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. Low saturation voltage VCE(sat)300mV (Max.
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 80В |
Continuous Collector Current | 700мА |
DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
Power Dissipation | 2Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
Частота Перехода ft | 320МГц |
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
Maximum DC Collector Current | 700 mA |
Minimum DC Current Gain | 120 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-89 |
Pin Count | 3 |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.73 |
Техническая документация
Datasheet 2SCR514PHZGT100
pdf, 1521 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.