2SCR514RTL, TRANSISTOR, NPN, 80V, 0.7A, SOT-346T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1930 шт., срок 8-10 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
83 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 3 250 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
80V 1W 120@100mA,3V 700mA NPN SOT-346 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 80В |
Continuous Collector Current | 700мА |
DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
Power Dissipation | 500мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-346T |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 320МГц |
Collector Current (Ic) | 700mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@300mA, 15mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 3V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 1W |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 320MHz |
Вес, г | 0.032 |
Техническая документация
Datasheet 2SCR514RTL
pdf, 1743 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.