2SD2114KT146V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
240 руб.
от 2 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
145 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR SMT3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency ft:350MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:820hFE; Transistor Case Style:
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 25 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.18 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 0.5 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 820 |
| DC Current Gain hFE Max | 2700 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 12 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 350 MHz |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-59-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 0.2 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2SD2114K |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Width | 1.6 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 820 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 2700 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 25 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.18 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SD2114K |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-59-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Вес, г | 0.113 |
Техническая документация
Datasheet 2SD2114KT146V
pdf, 103 КБ
Документация
pdf, 1343 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
