2SK2009(TE85L,F), Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 200 мА, 2 Ом, TO-236MOD, Surface Mount

2SK2009(TE85L,F), Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 200 мА, 2 Ом, TO-236MOD, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2380 шт., срок 8-10 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 3 250 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8012535384
Артикул: 2SK2009(TE85L,F)
Бренд: Toshiba

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 2Ом
Power Dissipation 200мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 2.5В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока 200мА
Пороговое Напряжение Vgs 1.5В
Стиль Корпуса Транзистора TO-236MOD

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.