30A02CH-TL-E, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 520 МГц, 700 мВт, -700 мА, 200 hFE

Фото 2/2 30A02CH-TL-E, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 520 МГц, 700 мВт, -700 мА, 200 hFE
Фото 1/2 30A02CH-TL-E, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 520 МГц, 700 мВт, -700 мА, 200 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8894345228
Артикул: 30A02CH-TL-E
Производитель: ON Semiconductor
47 руб.
5595 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 25 шт. — 33 руб.
от 100 шт. — 20 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
8 руб. 7 дней, 3000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
13 руб. 7 дней, 3550 шт. 50 шт. 50 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер -30В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 700мВт
Полярность Транзистора pnp
DC Ток Коллектора -700мА
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Частота Перехода ft 520МГц
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage -220 mV
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 520 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage -1.2 V
Length 2.9мм
Maximum Collector Base Voltage -30 V
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Package Type CPH
Maximum Power Dissipation 700 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Width 1.6мм
Maximum DC Collector Current 700 мА
Transistor Type PNP
Height 0.9мм
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Dimensions 2.9 x 1.6 x 0.9mm
Minimum DC Current Gain 200
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage -220 mV
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 520 MHz
Количество элементов на ИС 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage -1.2 V
Длина 2.9мм
Transistor Configuration Одинарный
Maximum Collector Base Voltage -30 V
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Package Type CPH
Maximum Power Dissipation 700 mW
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.6мм
Maximum DC Collector Current 700 mA
Transistor Type PNP
Высота 0.9мм
Pin Count 3
Dimensions 2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Minimum DC Current Gain 200
Вес, г 0.002

Дополнительная информация

Datasheet 30A02CH-TL-E

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.