4N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 4А [TO-252]

4N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 4А [TO-252]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2126 шт. со склада г.Москва
18 руб.
от 15 шт.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 18 руб.
Номенклатурный номер: 9001231165
Артикул: 4N65L
PartNumber: UMW 4N65L

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.3 Ом/2А, 10В
Корпус dpak
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet UMW 4N65
pdf, 535 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.