AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W]
![AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801138.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
980 руб.
от 15 шт. —
899 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 980 руб.
Описание
транз: PRF 6W 136 - 941МГц, 7.5V , >18.3dB, >73%, LDMOS
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
| Крутизна характеристики, S | 4.4 | |
| Корпус | PLD-1.5W | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) | |
| Максимальная Рабочая Частота | 941МГц | |
| Рассеиваемая Мощность | 128Вт | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В DC | |
| Минимальная Рабочая Частота | 136МГц | |
| Корпус РЧ Транзистора | PLD-1.5W | |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet AFT05MS006N
pdf, 918 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
