AUIRF7103QTR, Микросхема
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
от 5 шт. —
230 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Описание
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.13 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
AUIRF7103Q datasheet
pdf, 222 КБ
Datasheet AUIRF7103QTR
pdf, 439 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
