AUIRLR2905
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 руб.
от 2 шт. —
560 руб.
от 5 шт. —
482 руб.
от 10 шт. —
446.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Family | FETs-Single |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Mounting Type | * |
| Package / Case | * |
| Power - Max | 110W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 25A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Supplier Device Package | * |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet AUIRLR2905
pdf, 269 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
