BC32725TA, Биполярный транзистор, слабый сигнал, PNP, -45 В, 100 МГц, 625 мВт, -800 мА, 100 hFE

Фото 2/3 BC32725TA, Биполярный транзистор, слабый сигнал, PNP, -45 В, 100 МГц, 625 мВт, -800 мА, 100 hFEФото 3/3 BC32725TA, Биполярный транзистор, слабый сигнал, PNP, -45 В, 100 МГц, 625 мВт, -800 мА, 100 hFE
Фото 1/3 BC32725TA, Биполярный транзистор, слабый сигнал, PNP, -45 В, 100 МГц, 625 мВт, -800 мА, 100 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8387037465
Артикул: BC32725TA
Производитель: ON Semiconductor
32 руб.
6215 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 25 шт. — 22 руб.
от 100 шт. — 13 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
19 руб. 4 дня, 7871 шт. 1 шт. 99 шт.
от 410 шт. — 4 руб.
от 820 шт. — 2.40 руб.
от 2000 шт. — 2 руб.
9.70 руб. 3-4 недели, 330 шт. 10 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 7.20 руб.
15.60 руб. 3-5 недель, 16223 шт. 1 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 15.40 руб.
47 руб. 5-6 недель, 6381 шт. 3 шт. 3 шт.
от 102 шт. — 14 руб.
30 руб. 7 дней, 4670 шт. 10 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 21 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BC32725TA is a -45V PNP Epitaxial Silicon Transistor for AF-Driver stages and low power output stages. It is complement to BC337/BC338 transistors. This product is general usage and suitable for many different applications.

• -5V Emitter to base voltage (VEBO)
• 200°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер -45В
Стиль Корпуса Транзистора to-92
Рассеиваемая Мощность 625мВт
Полярность Транзистора pnp
DC Ток Коллектора -800мА
DC Усиление Тока hFE 100hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.7 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Длина 5.2мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 45 В
Тип корпуса TO-92
Максимальное рассеяние мощности 0.625 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 4.19мм
Максимальный пост. ток коллектора 800 мА
Тип транзистора PNP
Высота 5.33мм
Число контактов 3
Размеры 5.33 x 5.2 x 4.19мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 100
Вес, г 0.559

Дополнительная информация

Datasheet BC32725TA
Datasheet BC32725TA

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.