Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › BC846BLP4-7B, Биполярный транзистор, NPN ...

BC846BLP4-7B, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 100 мА, 460 мВт, X2-DFN1006, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

82 руб.

Мин. кол-во для заказа 35 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 44 руб.

от 250 шт. — 29 руб.

Добавить в корзину 35 шт. на сумму 2 870 руб.

Номенклатурный номер: 8001692661

Артикул: BC846BLP4-7B

Бренд: DIODES INC.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	65В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	200hFE
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Power Dissipation	460мВт
Квалификация	-
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	BC846
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	X2-DFN1006
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	300МГц
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	65 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	300 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1 W
Minimum DC Current Gain	200
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	X2-DFN1006
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Automotive	No
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	No Lead
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	0.9@0.5mA@10mA
Maximum Collector Base Voltage (V)	80
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.25@0.5mA@10mA\|0.6@5mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	65
Maximum DC Collector Current (A)	0.1
Maximum Emitter Base Voltage (V)	6
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	1000
Maximum Transition Frequency (MHz)	300(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Product Category	Bipolar Power
Standard Package Name	DFN
Supplier Package	X2-DFN
Type	NPN
Brand:	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	220 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	200 at 2 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max:	450 at 2 mA, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	10000
Gain Bandwidth Product fT:	300 MHz
Manufacturer:	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current:	100 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	X2-DFN1006-3
Pd - Power Dissipation:	460 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	BC846
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.01