Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BC846W,115, Биполярный транзистор, NPN, 65 В ...

BC846W,115, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.2 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7690 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели

5 руб.

Мин. кол-во для заказа 106 шт.

от 273 шт. — 4 руб.

от 545 шт. — 3 руб.

от 1090 шт. — 2.70 руб.

Добавить в корзину 106 шт. на сумму 530 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8401610833

Артикул: BC846W,115

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.2 Вт

Технические параметры

Корпус	sot-323
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Другие названия товара №	BC846W T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.35 mm
Lead Finish	Tin
Max Processing Temp	260
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	0.76@0.5mA@10mAI0.9@5mA@100mA V
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	0.2@0.5mA@10mAI0.4@5mA@100mA V
Maximum Collector Emitter Voltage	65 V
Maximum DC Collector Current	0.1 A
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Power Dissipation	200 mW
Minimum DC Current Gain	110@2mA@5V
Mounting	Surface Mount
Operating Temperature	-65 to 150 °C
Type	NPN
Вес, г	0.04