BC847AT-7-F, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 100мА; 150мВт; SOT523

Фото 1/6 BC847AT-7-F, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 100мА; 150мВт; SOT523
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.5 руб.
от 600 шт.3.60 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 180 руб.
Номенклатурный номер: 8017547652
Артикул: BC847AT-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 100мА; 150мВт; SOT523 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 45
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 110@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 150
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive Yes
AEC Qualified Number AEC-Q101
Pin Count 3
Supplier Package SOT-523
Standard Package Name SOT
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.75
Package Length 1.6
Package Width 0.8
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.75 mm
Длина 1.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 600 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC847A
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-523-3
Ширина 0.8 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage 45V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 150mW
Transistor Type NPN
Maximum Collector Base Voltage 50 V
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 150 mW
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-523(SC-89)
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 295 КБ
Datasheet
pdf, 301 КБ
Datasheet
pdf, 310 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC847AT-7-F
pdf, 159 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов