BC847BLT3G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 200 hFE

Фото 2/2 BC847BLT3G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 200 hFE
Фото 1/2 BC847BLT3G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 225 мВт, 100 мА, 200 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8286038828
Артикул: BC847BLT3G
Производитель: ON Semiconductor
20 руб.
25985 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 18 руб.
от 100 шт. — 5.80 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
15 руб. 7 дней, 2125 шт. 25 шт. 25 шт.
от 500 шт. — 11 руб.
от 625 шт. — 9.80 руб.
от 1250 шт. — 8.99 руб.
1.40 руб. 3-4 недели, 80000 шт. 10000 шт. 10000 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 45В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 225мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,6 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 0,9 В
Длина 2.9мм
Максимальное напряжение коллектор-база 50 V
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 45 В
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 300 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.3мм
Максимальный пост. ток коллектора 100 mA
Тип транзистора NPN
Высота 0.94мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
Размеры 0.94 x 2.9 x 1.3мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 200
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0,6 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 0,9 В
Конфигурация транзистора Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 50 В
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 45 В
Package Type SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 300 мВт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Максимальный пост. ток коллектора 100 мА
Transistor Type NPN
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 6 В
Размеры 0.94 x 2.9 x 1.3мм
Вес, г 0.002

Дополнительная информация

Datasheet BC847BLT3G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.