BC847C-7-F, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 76 шт.
от 384 шт. —
5 руб.
от 767 шт. —
3.70 руб.
от 1533 шт. —
3.20 руб.
Добавить в корзину 76 шт.
на сумму 532 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А
Технические параметры
Корпус | SOT23-3 | |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 1 mm | |
Длина | 3.05 mm | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA, 5 V | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Серия | BC847C | |
Технология | Si | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | Diodes Incorporated | |
Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
Ширина | 1.4 mm | |
Base Product Number | BC847 -> | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA | |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V | |
ECCN | EAR99 | |
Frequency - Transition | 300MHz | |
HTSUS | 8541.21.0075 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Power - Max | 300mW | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | SOT-23-3 | |
Transistor Type | NPN | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V | |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V | |
Maximum DC Collector Current | 100 mA | |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V | |
Maximum Operating Frequency | 300 MHz | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 300 mW | |
Minimum DC Current Gain | 420 | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов