Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › BC848B-7-F, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

BC848B-7-F, SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8 руб.

Кратность заказа 20 шт.

от 200 шт. — 5 руб.

от 600 шт. — 3 руб.

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 160 руб.

Номенклатурный номер: 8017656044

Артикул: BC848B-7-F

Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3.05 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	600 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	300 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC848B
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Maximum Collector Base Voltage	30 V
Maximum Collector Emitter Voltage	30 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	300 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	300 mW
Minimum DC Current Gain	200
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.04