BC858B-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 350мВт, SOT23

Фото 1/4 BC858B-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 350мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.4 руб.
от 600 шт.3 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 160 руб.
Номенклатурный номер: 8017537693
Артикул: BC858B-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 350мВт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3.05 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 220 at -2 mA, - 5 V
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 650 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 200 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC858
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Maximum Collector Base Voltage -30 V
Maximum Collector Emitter Voltage -30 V
Maximum DC Collector Current -100 mA
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 350 mW
Minimum DC Current Gain 220
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 293 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC858C-7-F
pdf, 299 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов