BC858C, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 600 hFE [SOT-23]

Артикул: BC858C
PartNumber: BC858CE6327HTSA1
Ном. номер: 56009
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 BC858C, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 600 hFE [SOT-23]
Фото 2/3 BC858C, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 600 hFE [SOT-23]Фото 3/3 BC858C, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 600 hFE [SOT-23]
Есть в наличии 601 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка завтра
5 руб. × = 5 руб.
от 100 шт. — 4 руб.
от 1000 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

Small Signal PNP Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors Type SY

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

BC857B datasheet
pdf, 255 КБ

Дополнительная информация

BC857-860 PNP Silicon AF Transistors BC858C BC858CE6327HTSA1
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов