BCP53-10T1G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А, 1.5 Вт

Фото 1/3 BCP53-10T1G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А, 1.5 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 43 шт.
Добавить в корзину 43 шт. на сумму 473 руб.
Номенклатурный номер: 8791351155
Артикул: BCP53-10T1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А, 1.5 Вт

Технические параметры

Корпус SOT-223
Pd - рассеивание мощности 1.5 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.57 mm
Длина 6.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1.5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BCP53
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.5 mm
Вес, г 0.12

Техническая документация

Datasheet
pdf, 72 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов