BCV49.115, Транзисторы и сборки биполярные
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
82 руб.
от 3 шт. —
56 руб.
от 4 шт. —
43.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 82 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
транзисторы биполярные импортные
Описание Биполярный транзистор BCV49,115 от NEXPERIA представляет собой высококачественный компонент для монтажа SMD с типом NPN Дарлингтона, обладающий напряжением коллектор-эмиттер 60 В и мощностью 1 Вт. Имеет компактный корпус SOT89, что делает его идеальным выбором для использования в различных электронных устройствах. Транзистор BCV49115 отлично подходит для усиления и коммутации сигналов в широкой области применения, обеспечивая надежную и долговечную работу. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN, Дарлингтон |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 60 |
| Мощность, Вт | 1 |
| Корпус | SOT89 |
Технические параметры
| Структура | NPN Дарлингтон | |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 80 | |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 | |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 | |
| Корпус | SOT-89-3 | |
| Диапазон рабочих температур, оС | -65…150 | |
| Статический коэффициент передачи тока hfe мин | 2000 | |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 В | |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,5 В | |
| Длина | 4.6мм | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V | |
| Максимальный запирающий ток коллектора | 0.0001mA | |
| Производитель | Nexperia | |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В | |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 500 мА | |
| Тип корпуса | UPAK | |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж | |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C | |
| Ширина | 2.6мм | |
| Тип транзистора | NPN | |
| Высота | 1.6мм | |
| Число контактов | 4 | |
| Размеры | 4.6 x 2.6 x 1.6мм | |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 10 V | |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 2000 | |
| кол-во в упаковке | 1000 | |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.5 V | |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V | |
| Maximum Collector Cut-off Current | 0.0001mA | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V | |
| Maximum Continuous Collector Current | 500 mA | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Minimum DC Current Gain | 2000 | |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | UPAK | |
| Pin Count | 4 | |
| Transistor Type | NPN | |
| Width | 2.6mm | |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BCV49,115
pdf, 48 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
