Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BCW66FVL, Bipolar Transistors - BJT ...

BCW66FVL, Bipolar Transistors - BJT BCW66F/SOT23/TO-236AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

27025 шт., срок 7-9 недель

52 руб.

от 10 шт. — 37 руб.

от 100 шт. — 17 руб.

от 1000 шт. — 8.47 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 52 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006248868

Артикул: BCW66FVL

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BCW66F/SOT23/TO-236A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	800 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	450 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	800 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	10000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Collector Emitter Voltage Max	45В
Continuous Collector Current	800мА
DC Current Gain hFE Min	100hFE
DC Усиление Тока hFE	100hFE
Power Dissipation	250мВт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	BCW66
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-236AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	100МГц
Вес, г	1