BCX52-10,115, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А, 1.3 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
528 шт. со склада г.Москва, срок 11 дней
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 32 шт.
от 60 шт. —
13 руб.
от 120 шт. —
11 руб.
от 239 шт. —
10 руб.
Добавить в корзину 32 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А, 1.3 Вт
Технические параметры
| Корпус | SOT-89-3 | |
| Pd - рассеивание мощности | 1300 mW | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1.6 mm | |
| Длина | 4.6 mm | |
| Другие названия товара № | 933663050115 | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Квалификация | AEC-Q101 | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 150 mA, 2 V | |
| Конфигурация | Single | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 63 at 150 mA, 2 V | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | PNP | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 145 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Серия | BCX52 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 | |
| Ширина | 2.6 mm | |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В | |
| Continuous Collector Current | 1А | |
| DC Current Gain hFE Min | 63hFE | |
| DC Усиление Тока hFE | 63hFE | |
| Power Dissipation | 500мВт | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
| Частота Перехода ft | 145МГц | |
| Maximum Collector Base Voltage | -60 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V | |
| Maximum DC Collector Current | -1 A | |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 145 MHz | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 1.35 W | |
| Minimum DC Current Gain | 63 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-89 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Type | PNP | |
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo | |
| Вес, г | 0.097 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
