BD239C, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 Вт, 2 А, 40 hFE

PartNumber: BD239C
Ном. номер: 8054261637
Производитель: ST Microelectronics
BD239C, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 Вт, 2 А, 40 hFE
Доступно на заказ 117 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
17 руб. × = 17 руб.
от 25 шт. — 14 руб.
от 100 шт. — 13 руб.

Описание

The BD239C is a 100V Silicon NPN Power Transistor manufactured in planar technology with base island layout. The transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.

• Well-controlled hFE parameter for increased reliability
• Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
100В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
40hFE

Дополнительная информация

Datasheet BD239C