BD241C, NPN биполярный транзистор, [TO-220]

Артикул: BD241C
Ном. номер: 34035
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 BD241C, NPN биполярный транзистор, [TO-220]
Фото 2/3 BD241C, NPN биполярный транзистор, [TO-220]Фото 3/3 BD241C, NPN биполярный транзистор, [TO-220]
Есть в наличии более 300 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Ожидается поступление на склад г.Москва: 25 сентября 2017 г. — 200 шт.
Возможна срочная доставка сегодня
16 руб. × = 16 руб.
от 50 шт. — 14 руб.
от 150 шт. — 12.10 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The BD241C is a 100V Silicon NPN Complementary Power Transistor manufactured in planar technology with base island layout. The transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.

• Well-controlled hFE parameter for increased reliability
• Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
115
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

BD241C datasheet
pdf, 112 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BD241C
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов