BDV65BG, Darlington Transistor, дарлингтона, NPN, 100 В, 125 Вт, 10 А, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
510 руб.
от 100 шт. —
476 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 600 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Darlington Transistors
The BDV65BG is a 100V Silicon NPN Bipolar Darlington Plastic Power Transistor that can be used as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
• High DC current gain
• Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
Технические параметры
| DC Ток Коллектора | 10А |
| DC Усиление Тока hFE | 1000hFE |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Корпус РЧ Транзистора | TO-247 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 100В |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Collector Current (DC) | 10(A) |
| Collector-Base Voltage | 100(V) |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2(V) |
| Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 1000 |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Maximum Collector Cut-off Current | 400 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-247 |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 125(W) |
| Rad Hardened | No |
| Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 112 КБ
Документация
pdf, 243 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
