BDV65BG, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 125 Вт, 10 А, 1000 hFE

PartNumber: BDV65BG
Ном. номер: 8010001575
Производитель: ON Semiconductor
BDV65BG, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 125 Вт, 10 А, 1000 hFE
Доступно на заказ 297 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
130 руб. × = 130 руб.
от 25 шт. — 108 руб.
от 100 шт. — 87 руб.

Описание

The BDV65BG is a 100V Silicon NPN Bipolar Darlington Plastic Power Transistor that can be used as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.

• High DC current gain
• Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
100В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
125Вт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
10А
DC Усиление Тока hFE
1000hFE

Дополнительная информация

Datasheet BDV65BG