BDW93C, Дарлингтон NPN 100В 12А 80Вт [TO220]

Артикул: BDW93C
Ном. номер: 442911849
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 BDW93C, Дарлингтон NPN 100В 12А 80Вт [TO220]
Фото 2/3 BDW93C, Дарлингтон NPN 100В 12А 80Вт [TO220]Фото 3/3 BDW93C, Дарлингтон NPN 100В 12А 80Вт [TO220]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
24 руб. × = 24 руб.
от 50 шт. — 22 руб.
от 500 шт. — 21 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The BDW93C is a 100V Silicon Epitaxial Base NPN Power Transistor in monolithic Darlington configuration. It is intended for use in power linear and switching applications. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.

• Complementary to the BDW94C
• Integrated anti-parallel collector-emitter diode
• Well-controlled hFE parameter for increased reliability

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

BDW93C Datasheet
pdf, 82 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BDW93C
Datasheet BDW93C
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов